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  SiC碳化硅功率器件动态特性测试系统

 

SiC碳化硅功率器件动态特性测试系统

 

 

我们专业致力于功率元器件的测试仪器设备,主要致力于碳化硅器件的测试仪器设备。 我们的优势在于能够深入的进行理论运用到实践中。技术能力和实践能力的结合,才能在市场上推出使用方便,测试结果准确的高技术产品 我们的工程师具有超过20年的大功率半导体专业设计及测试评估的经验 如有任何需求,欢迎与我们联系各种电子测试的需求。

 

全面的测试方案:

双脉冲测试

· 用于碳化硅二极管

· FETs检测

高压器件

· 1.2 kV - 1.7 kV - 3.3 kV - 4.5 kV

· 及更高

功率器件(包括模块)

· 电压可调至:50 A ( > 500 A )

清晰的开关波形

· 非常低且非常容易判断寄生现象

精确

· 包含分析和补偿程序

为模具,紧凑型包装,模块组件而设计

 

· 裸芯片, TO220, TO247, TO254, 任何碳化硅模块

模块化和前瞻性

· 新包装和模块化的可调谐开关插头

高温测试

· DUT 集成化加热器- 可调谐到 250°C

快速

· 快速部署,测试周期 短

标准和具体应用

· 集成化或定制栅极驱动器;寄生现象可调谐

高性能系统

· 工业等级设计及制造

安全

 

· IEC61010安全标准设计

 

技术规格

动态特性主要针对于是碳化硅技术中的功率器件的特性,也同样应用于碳化硅技术的的各种仪器设备的特性。基于碳化硅技术的半导体功率器件动态性能测试是我们的核心技术。随着碳化硅测试设备的快速发展需要对带宽和寄生原件的测试需求。如:负载感应器和直流电等寄生元器件将会成为碳化硅功率器件最佳的使用方案。

功能:描述SiC离散变量的动力学行为

配置:在相位腿配置的二极管mosfet(IGBTs)

设备等级:优化的额定电压600V4500V

          优化额定电流10A50A

包装:可与TO220,TO247,TO254包接口的装置

系统接受其他包的fixture

输入电压:230Vac, 50Hz,单相接地保护

输入电流:8A

保险丝额定值:10AT250V

直流电压范围:100V to 4500V

开关电流范围:10A to 50A

 

DUT温度:热板温度可调至200℃


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